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2N7002T
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用SOT-523微型封装，具有60V高耐压和0.1A电流处理能力，专为紧凑型、低功耗电子设备设计，实现精细电源管理与高效开关功能。
- 商品型号
- 2N7002T
- 商品编号
- C7507460
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,0.115A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型MOSFET。
商品特性
~~- 高散热能力-额定温度达175°C,适用于高散热需求环境-沟槽MOSFET技术
应用领域
- 反接电池保护-电源管理-高端负载开关-电机驱动
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