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2N7002KW
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET封装为SOT-323，具有60V高击穿电压及0.1A电流容量，特别适合于低功耗电子设备的电源管理与精准开关应用。其微型尺寸与高效性能相结合，提供理想的电路设计解决方案。
- 商品型号
- 2N7002KW
- 商品编号
- C7507458
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = 60V ID = 0.115A
- RDS(ON) < 3Ω @ VGS = 10V
- 静电放电等级:人体模型(HBM)\geqslant 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源