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2N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备650V高耐压和2A电流处理能力。专为在高压环境下的消费电子设备设计，以实现高效能、低损耗的开关控制，确保系统稳定安全运行，是优化电源管理的理想半导体元件。
- 商品型号
- 2N65
- 商品编号
- C7473290
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 低导通电阻
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- DC/DC 转换器、高速开关