温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备650V高耐压和2A电流处理能力。专为在高压环境下的消费电子设备设计，以实现高效能、低损耗的开关控制，确保系统稳定安全运行，是优化电源管理的理想半导体元件。
- 商品型号
- 2N65
- 商品编号
- C7473290
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 650 V,漏极电流(ID) = 2 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 5 Ω
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。