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7N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，拥有高达650V的击穿电压和7A连续电流承载能力，适用于高电压、大电流电子设备的电源转换与开关控制应用。卓越性能，满足严苛电路需求。
- 商品型号
- 7N65
- 商品编号
- C7472822
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |