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7N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，拥有出色的650V高耐压性能及7A电流处理能力。专为要求严苛的消费电子开关应用设计，有效提升系统能效与稳定性，是高压环境下优化电路的理想半导体器件。
- 商品型号
- 7N65
- 商品编号
- C7473292
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.387368克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ |
商品概述
GSFT06131采用最新技术，实现了高单元密度和低导通电阻。这些特性使该器件在高效开关模式电源及多种其他应用中极为高效且可靠。
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 7 A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 1.4Ω
应用领域
-适配器和充电器的功率开关电路。