10N65
N沟道,电流:10A,耐压:650V
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描述
该消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装,具备650V高耐压及10A大电流处理能力,专为高效能电子设备设计,应用于电源转换、电机驱动等领域,提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
10N65商品编号
C7473293商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
2.528571克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.05Ω@10V | |
功率(Pd) | 40W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 32nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.642nF@520V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 7pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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