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10N65

环保标识
  • N沟道,电流:10A,耐压:650V

  • SMT扩展库
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  • 描述

    该消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装,具备650V高耐压及10A大电流处理能力,专为高效能电子设备设计,应用于电源转换、电机驱动等领域,提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    10N65
  • 商品编号

    C7473293
  • 商品封装

    TO-220F
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    2.528571克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.05Ω@10V
功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.642nF@520V
反向传输电容(Crss@Vds)7pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

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