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10N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，具备650V高耐压及10A大电流处理能力，专为高效能电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。
- 商品型号
- 10N65
- 商品编号
- C7473293
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.528571克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.642nF@520V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
7N65可用于各种功率开关电路，实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 650 V，ID = 7 A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 1.4Ω
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。