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5N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高电流、高电压场景。其参数为：电流5A，电压500V，内阻典型值1450mR，栅源极电压VGS为30V。它具有优良的性能和稳定性，可广泛应用于各类电子系统，确保电路高效运行。
- 商品型号
- 5N50
- 商品编号
- C7473289
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |