5N50
N沟道,电流:5A,耐压:500V
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描述
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备高达500V的耐压性能及稳定的5A电流处理能力。专为高压环境下的开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,确保高效能、低损耗与出色的系统稳定性表现。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
5N50商品编号
C7473289商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.3845克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.74Ω@10V | |
功率(Pd) | 75W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.6nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 584pF@400V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4pF@25V | |
工作温度 | -45℃~+125℃ |
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