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5N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高电流、高电压场景。其参数为：电流5A，电压500V，内阻典型值1450mR，栅源极电压VGS为30V。它具有优良的性能和稳定性，可广泛应用于各类电子系统，确保电路高效运行。
- 商品型号
- 5N50
- 商品编号
- C7473289
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 584pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备的负载开关