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DMC1018UPDWQ-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:31.3A
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电机控制、电源管理功能、DC - DC转换器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC1018UPDWQ-13
- 商品编号
- C7473285
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31.3A；20.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V；38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA；850mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.1nC@4.5V；8.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF；866pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 303pF；131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF；329pF |
商品特性
~~- 沟槽功率MOSFET-可承受175 °C结温-符合RoHS标准-漏极连接至散热片-N沟道MOSFET