- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GSFP0341
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
GSFP0341采用最新技术实现了高单元密度和低导通电阻。这些特性使该器件在高效开关模式电源及其他各种应用中极为高效可靠。
商品特性
- 先进的MOSFET工艺技术
- 非常适合高效开关模式电源
- 低导通电阻和低栅极电荷
- 快速开关和反向体恢复
应用领域
- PWM应用
- 电源管理