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G180N06S2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G180N06S2

2个N沟道 耐压:60V 电流:8A

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品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G180N06S2
商品编号
C7465296
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.129克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))16.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC
输入电容(Ciss)2.33nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)102pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

G180N06S2采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS:60V
  • 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):8A
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):20mΩ
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):22mΩ
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器