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G05NP06S2
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5A 3.1A
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- 描述
- 本产品采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换的高端开关，以及其他许多应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G05NP06S2
- 商品编号
- C7465298
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A；5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@5V,3.9A；95mΩ@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V；2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V；37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.336nF@30V；1.454nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF；56pF |