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G2K2P10S2E
2个P沟道 耐压:100V 电流:3.5A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G2K2P10S2E
- 商品编号
- C7465297
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.623nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |
商品概述
GT060N04D52采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS:-100V
- ID(VGS = -10 V时):-3.5A
- RDS(ON)(VGS = -10 V时):< 200mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5 V时):< 220mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电(人体模型):7KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器