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BL8601
600V半桥栅极驱动芯片
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- 描述
- 一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达600V电压下工作。内置VCC和VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。输入脚兼容3.3-15.0V输入逻辑，上下管延时匹配最大为50ns，驱动能力为+0.3A/-0.6A。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BL8601
- 商品编号
- C7462440
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.157075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 300mA | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 55ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入低电平(VIL) | 0V~800mV | |
| 静态电流(Iq) | 125uA |
商品概述
一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达600V电压下工作。内置VCC和VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。输入脚兼容3.3 - 15.0V输入逻辑，上下管延时匹配最大为50ns，驱动能力为+0.3A/-0.6A。采用SOP8封装。
商品特性
- 悬浮绝对电压600V
- 电源电压工作范围: 10.0 - 20.0V
- 兼容3.3/5/15V输入逻辑
- 驱动电流: +0.3A/-0.6A(typ.)
- 延时匹配时间: 50ns
- 集成VCC和VBS欠压保护
- SOP8封装
应用领域
- 马达驱动
- 逆变器电源
- LLC电源