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2N7002K_R1_00501
N沟道增强型MOSFET-静电保护型
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@500mA < 3Ω。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@200mA < 4Ω。 先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 关断状态下漏电流极低。 ESD保护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- 2N7002K_R1_00501
- 商品编号
- C7461930
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE60P05N采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为500 mA时,RDS(ON) < 3 Ω
- 当VGS为4.5 V、ID为200 mA时,RDS(ON) < 4 Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电(ESD)保护达2 KV HBM
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑料
应用领域
- 负载开关
- PWM应用