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C3M0045065K引脚图
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  • 焊盘图

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C3M0045065K

碳化硅功率MOSFET,N沟道增强模式,优化封装,高阻断电压,低导通电阻,高速开关,无卤,符合ROHS标准

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品牌名称
WOLFSPEED
商品型号
C3M0045065K
商品编号
C7457638
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
8.072克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)49A
耗散功率(Pd)176W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.6V
栅极电荷量(Qg)63nC
输入电容(Ciss)1.621nF
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-40℃~+175℃
输出电容(Coss)101pF
导通电阻(RDS(on))60mΩ

商品特性

  • C3M™碳化硅MOSFET技术
  • 采用独立驱动源引脚的优化封装
  • 漏极与源极之间爬电距离达8mm
  • 高阻断电压与低导通电阻
  • 低电容的高速开关
  • 具有低反向恢复(Q)的快速本征二极管
  • 无卤素,符合RoHS标准

应用领域

电动汽车充电器、服务器与电信电源、不间断电源、太阳能逆变器、开关电源、直流-直流转换器

数据手册PDF