APT11N80BC3G
1个N沟道 耐压:800V 电流:11A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT11N80BC3G
- 商品编号
- C7455363
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
碳化硅 (SiC) 是适用于更高开关频率、更高效率和更高功率(>650V)应用的理想技术。与硅 MOSFET 和 IGBT 解决方案相比,SiC MOSFET 和 SiC 肖特基势垒二极管产品线可提高系统效率,同时通过实现系统小型化以及采用更小/成本更低的散热方案来降低总体拥有成本。 超快、低栅极电荷的 MOSFET 系列将业内最低的栅极电荷与 Microchip 专有的自对准铝金属栅极结构相结合。其结果是,该 MOSFET 能够实现极快的开关速度和极低的开关损耗。这些芯片的金属栅极结构和布局提供的内部串联栅极电阻 (EGR) 比采用多晶硅栅极的竞争器件低一个数量级。这些器件非常适合高频和脉冲高压应用。
商品特性
- RDSon 随温度变化的稳定性
- 高雪崩性能 - 非钳位感性开关 (UIS) 和重复 UIS
- 长短路耐受时间
- 内部体二极管无寿命衰减
- 衬底和外延材料有多个合格来源
- 具备双重制造能力
- 无产品停产政策
- 具有竞争力的交货周期
- 广泛的功率开关产品组合 - 分立器件、裸片和模块
- Microchip 的全面系统解决方案 (TSS) - 功率级、栅极驱动器和控制解决方案
- 在、工业和汽车领域拥有专业知识和支持体系
- 串联栅极电阻 (RG) < 0.1 Ω
- 上升时间 (TR) 和下降时间 (TF) < 10 ns
- 业内最低的栅极电荷
应用领域
- 交通运输/汽车:电动汽车 (EV):电池充电器、混合动力汽车 (HEV) 动力系统、DC-DC 转换器、能量回收
- 数据中心:不间断电源 (UPS)、电源分配单元 (PDU)、电源 (PSU)(功率因数校正 (PFC)/ LLC 谐振转换器)
- 工业:感应加热、电机驱动器、开关电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS)、焊接
- 智能能源:储能、光伏 (PV) 逆变器、风力(涡轮机)
- 医疗:磁共振成像 (MRI) 电源、X 射线电源
- 高达 2 MHz 的 D 类放大器
- 高压脉冲直流
- 调幅 (AM) 发射机
- 等离子体沉积/蚀刻