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GC2M0160120D

环保标识
  • SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管

    • 品牌名称SUPSiC(国晶微半导体)
    • 商品型号

      GC2M0160120D
    • 商品编号

      C7435048
    • 商品封装

      TO-247-3
    • 包装方式

      管装

    • 商品毛重

      8.756667克(g)

    • 商品参数

    属性参数值
    商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
    封装类型单管
    沟道类型1个N沟道
    配置-
    漏源击穿电压(Vds)1200V
    连续漏极电流(Id)18A
    属性参数值
    耗散功率(Pd)125W
    阈值电压(Vgs(th))2.9V
    栅极电荷量(Qg)40nC
    输入电容(Ciss)606pF
    反向传输电容(Crss)5pF
    工作温度-

    数据手册PDF

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    10+¥17.1771¥18.47
    30+¥14.6289¥15.73¥471.9
    90+¥12.9828¥13.96¥418.8
    600+¥12.2202¥13.14¥394.2
    900+¥11.8761¥12.77¥383.1

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