GC2M0160120D
SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
- 品牌名称SUPSiC(国晶微半导体)
商品型号
GC2M0160120D商品编号
C7435048商品封装
TO-247-3包装方式
管装
商品毛重
8.756667克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
封装类型 | 单管 | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
配置 | - | |
漏源击穿电压(Vds) | 1200V | |
连续漏极电流(Id) | 18A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
耗散功率(Pd) | 125W | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
输入电容(Ciss) | 606pF | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
工作温度 | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1管
1+¥19.9206¥21.42
10+¥17.1771¥18.47
30+¥14.6289¥15.73¥471.9
90+¥12.9828¥13.96¥418.8
600+¥12.2202¥13.14¥394.2
900+¥11.8761¥12.77¥383.1
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
50
江苏仓
91
购买数量(30个/管,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个30个/管
近期成交14单
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