GC2M0080120D
GC2M0080120D
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- 品牌名称SUPSiC(国晶微半导体)
商品型号
GC2M0080120D商品编号
C7435046商品封装
TO247-3包装方式
管装
商品毛重
8.49克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
封装类型 | - | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
配置 | - | |
Vds-漏源击穿电压 | 1200V | |
Id-漏极电流(25℃) | 36A | |
Pd-功耗 | 192W | |
Vgs(th)-漏源阈值电压 | 2.9V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
RDS(on)-导通电阻(20V) | 80mΩ | |
RDS(on)-导通电阻(18V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(15V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(10V) | - | |
Qg-栅极电荷 | 71nC | |
Ciss-输入电容 | 1130pF | |
Crss-反向传输电容 | 7.5pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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