GC3M0075120D
GC3M0075120D
描述
SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
- 品牌名称SUPSiC(国晶微半导体)
商品型号
GC3M0075120D商品编号
C7435045商品封装
TO247-3包装方式
管装
商品毛重
8.134克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
封装类型 | 单管 | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
配置 | - | |
V(BR)DSS-漏源击穿电压 | 1200V | |
Id-漏极电流(25℃) | 32A | |
Pd-功耗 | 136W | |
Vgs(th)-栅源阈值电压 | 2.5V | |
RDS(on)-导通电阻(20V) | - |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
RDS(on)-导通电阻(18V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(15V) | 75mΩ | |
RDS(on)-导通电阻(10V) | - | |
Qg-栅极电荷 | 54nC | |
Ciss-输入电容 | 1390pF | |
Crss-反向传输电容 | 2pF | |
工作温度 | -40℃~+175℃ | |
Coss-输出电容 | 58pF |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+¥25.43
10+¥21.97
30+¥19.91¥597.3
90+¥17.83¥534.9
600+¥16.87¥506.1
900+¥16.43¥492.9
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
179
江苏仓
58
购买数量(30个/管,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个30个/管
近期成交3单