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GC3M0060065D
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- 描述
- 特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：EV充电。 服务器电源
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC3M0060065D
- 商品编号
- C7435026
- 商品封装
- TO247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.293103克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@15V |
优惠活动
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