NTMD6P02R2G-VB

1个P沟道 耐压:20V 电流:8.9A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电路保护模块、电机驱动模块等领域。SOP8；2个P—Channel沟道,-20V；-8.9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

NTMD6P02R2G-VB

商品编号

C7429086

商品封装

SO-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.131克(g)