NTR1P02T1G-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTR1P02T1G-VB
- 商品编号
- C7429088
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 100% 进行非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 负载开关-笔记本电脑-台式电脑
相似推荐
其他推荐
- NTR4003NT3G-VB
- NTR4501NT1G-VB
- NTS4001NT1G-VB
- NTZD3154NT1G-VB
- NTZD5110NT1G-VB
- NUD3160LT1G-VB
- NVTR4502PT1G-VB
- QM2414K-VB
- RFD3055LESM9A-VB
- RTR020N05TL-VB
- SI2329DS-T1-GE3-VB
- SI2336DS-T1-GE3-VB
- SI2343CDS-T1-GE3-VB
- SI4214DDY-T1-E3-VB
- SI4564DY-VB
- SI4936ADY-T1-E3-VB
- SIR470DP-T1-GE3-VB
- SPD09P06PLG-VB
- SPP2341S23RG-VB
- STB75NF75LT4-VB
- STD100N10F7-VB
