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PCB/SMT 工业品

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NTZD3154NT1G-VB

1个N沟道耐压:20V 电流:0.6A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型MOSFET，采用Trench技术，由于其小封装和低漏极电流特性，适用于轻载和低功率应用场景。SC75-6；2个N—Channel沟道,20V；0.6A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.4~1V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: NTZD3154NT1G-VB
商品编号: C7429092
商品封装: SC75-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0163克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	600mA
	导通电阻(RDS(on))	300mΩ@4.5V；420mΩ@1.8V；350mΩ@2.5V；500mΩ@1.5V
	耗散功率(Pd)	220mW
	阈值电压(Vgs(th))	400mV

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