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SIR470DP-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，适用于高性能电路控制和高电流应用的高性能MOSFET产品。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；120A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIR470DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7429105
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.75nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑系统电源
- 低电流直流-直流（DC/DC）转换