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SI4936ADY-T1-E3-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于中功率功率控制和开关应用，中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4936ADY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C7429104
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤素
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行非钳位电感开关(UIS)测试
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 机顶盒
- 低电流直流/直流电源