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NTZD5110NT1G-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型沟道Trench技术的MOSFET，适用于工作在60V的电路中。SC75-6；2个N—Channel沟道,60V；0.3A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=1.6V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTZD5110NT1G-VB
- 商品编号
- C7429093
- 商品封装
- SC75-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0164克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
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