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IPD50P04P4-13-VB
1个P沟道 耐压:40V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPD50P04P4-13-VB商品编号
C7428999商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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