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IRF7451TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:5.4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOS场效应管，采用Trench技术，适用于小型电路板的设计和布局。SOP8；N—Channel沟道,150V；5.4A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7451TRPBF-VB
- 商品编号
- C7429014
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100% Rq测试
- 100%非钳位感性开关测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 初级侧开关-隔离式DC/DC转换器-TO-252-N沟道MOSFET
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