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IRF7493TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:80V 电流:13A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于一般功率电路和消费电子产品中的功率开关解决方案。SOP8；N—Channel沟道,80V；13A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7493TRPBF-VB
- 商品编号
- C7429017
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.531nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 153pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 382pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了非钳位感性负载开关（UIS）测试
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑
- 游戏机
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