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IRFB23N15DPBF-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:20A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型的Trench技术MOSFET，适用于电源转换器、汽车电子、家用电器等领域。TO220；N—Channel沟道,150V；20A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFB23N15DPBF-VB
- 商品编号
- C7429030
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.09nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
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