IRFML8244TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;这是一款单N型场效应晶体管,适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造;可用作开关电源的关键部件,驱动汽车电子系统中的各种负载,控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23;N—Channel沟道,20V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.45~1V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFML8244TRPBF-VB
- 商品编号
- C7429038
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)个
起订量:10 个3000个/圆盘
总价金额:
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