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IRL6342TRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRL6342TRPBF-VB

1个N沟道 耐压:20V 电流:20A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高效能和高性能的应用场合。SOP8；N—Channel沟道,20V；20A；RDS(ON)=4.9mΩ@VGS=4.5V,VGS=16V；Vth=1~2.1V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRL6342TRPBF-VB
商品编号
C7429052
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.134克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))4.9mΩ@4.5V；5.6mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)27.5nC@10V
输入电容(Ciss)3.7nF@10V
反向传输电容(Crss)315pF@10V
类型N沟道
输出电容(Coss)745pF

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