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IRLIZ34NPBF-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有高压、高电流的特点，适用于多种功率电路设计。TO220F；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLIZ34NPBF-VB
- 商品编号
- C7429054
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品特性
- 根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电源-次级同步整流-DC/DC转换器
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