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IRFU024NPBF-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:25A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFU024NPBF-VB
- 商品编号
- C7429047
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.799克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V；37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V；46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 281pF |
优惠活动
购买数量
(80个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个80个/管
总价金额：
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