IRFM120ATF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道型器件,采用Trench工艺制造,适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223;N—Channel沟道,100V;5A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFM120ATF-VB商品编号
C7429037商品封装
SOT223-3包装方式
编带
商品毛重
0.169克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
耗散功率(Pd) | 3.3W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.1nF@10V | |
反向传输电容(Crss) | 300pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
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