IRFM120ATF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.5A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道型器件,采用Trench工艺制造,适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223;N—Channel沟道,100V;5A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFM120ATF-VB
- 商品编号
- C7429037
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- ThunderFET功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 100%进行Rq和UIS测试
- 材料分类:有关合规定义,请参阅RoHS合规性
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