IRF9358TRPBF-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道MOSFET功率场效应管,采用Trench工艺,适用于需要高功率和高耐压的应用场景。SOP8;2个P—Channel沟道,-30V;-12A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF9358TRPBF-VB
- 商品编号
- C7429026
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V;13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品特性
- 符合IEC 61249 - 2 - 21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- 负载点(POL)、中间总线转换器(IBC)
- 次级侧
- N沟道MOSFET
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