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IPD90N04S3-04-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPD90N04S3-04-VB商品编号
C7429001商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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