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IPD90P04P4-05-VB

1个P沟道 耐压:40V 电流:90A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench技术，适用于各种电子设备和系统中。TO252；P—Channel沟道,-40V；-90A；RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPD90P04P4-05-VB
商品编号
C7429005
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.388克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)136W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)155nC@10V
输入电容(Ciss)6.675nF
反向传输电容(Crss)855pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)852pF

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