IRF3710PBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,采用Trench工艺制造,适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220;N—Channel沟道,100V;70A;RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF3710PBF-VB商品编号
C7429010商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.679克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 70A | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
耗散功率(Pd) | 3.35W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.8nF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+¥6.3
10+¥5.16
50+¥4.32¥216
100+¥3.75¥187.5
500+¥3.41¥170.5
1000+¥3.24¥162
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