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IRF3710PBF-VB实物图
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IRF3710PBF-VB

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:100V 电流:70A

    • 描述

      台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,采用Trench工艺制造,适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220;N—Channel沟道,100V;70A;RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

    • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
    • 商品型号

      IRF3710PBF-VB
    • 商品编号

      C7429010
    • 商品封装

      TO-220
    • 包装方式

      管装

    • 商品毛重

      2.679克(g)

    • 商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    类型1个N沟道
    漏源电压(Vdss)100V
    连续漏极电流(Id)70A
    导通电阻(RDS(on))-
    耗散功率(Pd)3.35W
    属性参数值
    阈值电压(Vgs(th))4V
    栅极电荷量(Qg)90nC@10V
    输入电容(Ciss@Vds)1.8nF@25V
    反向传输电容(Crss)110pF@25V
    工作温度-55℃~+175℃

    数据手册PDF

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