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IPB120N04S4-02-VB

1个N沟道 耐压:40V 电流:150A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；150A；RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPB120N04S4-02-VB
商品编号
C7428982
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
管装
商品毛重
2.116克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)200W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)120nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)450pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

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