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IPD100N06S4-03-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:97A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用SGT技术制造，适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域，可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中，以实现稳定的能量转换和高性能输出。TO252；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPD100N06S4-03-VB
- 商品编号
- C7428988
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.06nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和导通损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域
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