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IPD042P03L3 G-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:58A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPD042P03L3 G-VB
- 商品编号
- C7428986
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 715pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.565nF |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性负载开关（UIS）测试
- N沟道MOSFET
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