温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQB27P06TM-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench技术，具有多种特性和应用领域，是一款功能强大且多用途的器件，可广泛应用于各种电子设备和系统中。TO263；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQB27P06TM-VB
- 商品编号
- C7428973
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V；66mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- FQD19N10LTM-VB
- FQD6N40CTM-VB
- FQP10N20C-VB
- FQP19N20C-VB
- FQP47P06-VB
- FQP50N06-VB
- FQP70N10-VB
- FQPF10N20C-VB
- IPB120N04S4-02-VB
- IPB120N06S4-03-VB
- IPD025N06N-VB
- IPD034N06N3G-VB
- IPD042P03L3 G-VB
- IPD096N08N3G-VB
- IPD100N06S4-03-VB
- IPD135N03LG-VB
- IPD30N06S2L-13-VB
- IPD30N06S2L-23-VB
- IPD320N20N3G-VB
- IPD33CN10NG-VB
- IPD35N10S3L-26-VB