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FQP19N20C-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种电源管理和功率控制应用。TO220；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQP19N20C-VB
- 商品编号
- C7428977
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 极低的 Qgd，可降低开关损耗
- 100%进行 Rg 测试
- 100%进行雪崩测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关-N 沟道 MOSFET
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