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FQD19N10LTM-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FQD19N10LTM-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:15A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应管，适用于多种应用场景，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、家用电器控制、工业自动化控制等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；15A；RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FQD19N10LTM-VB
商品编号
C7428974
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.385克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))114mΩ@10V
耗散功率(Pd)96W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
输入电容(Ciss)950pF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF

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