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NPS4N65S
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：适配器、LED电源反激式电路初级侧开关电路。
- 品牌名称
- NH(纽航)
- 商品型号
- NPS4N65S
- 商品编号
- C7427689
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMSA055N06采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合作为低端场效应晶体管用于通用场合。
商品特性
- 低导通电阻(RDS(ON)),实现高效率
- 低栅极电荷,实现高速开关
- 高单脉冲雪崩能量(EAS),确保高可靠性
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)和栅极电阻(RG)测试
应用领域
- 交流/直流转换器
- 适配器和充电器
- LED驱动器
- 高频电路和开关电源