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NPB4N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
- 描述
- 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：适配器、LED电源反激式电路初级侧开关电路。
- 品牌名称
- NH(纽航)
- 商品型号
- NPB4N65F
- 商品编号
- C7427690
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4858克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
482采用DMOS沟槽技术制造，该技术将出色的 RDS(on) 与低栅极电荷和低反向恢复电荷（Qrr）相结合。其结果是在可控的开关特性下实现出色的效率。这种通用技术非常适合PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)
- 超低栅极电荷
- 符合RoHS标准
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(RG)测试
应用领域
- 适配器、个人电脑(PC)、功率传输(PD)、充电器
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)