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TM100N03AD
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 低导通电阻（RDS(ON)）。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM100N03AD
- 商品编号
- C7422801
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4099克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
-低漏源导通电阻(R_DS(ON))-符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 100 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 4.5 mΩ（典型值）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试
应用领域
-负载开关-脉宽调制(PWM)