TK12E60W,S1VX
1个N沟道 耐压:600V 电流:11.5A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12E60W,S1VX
- 商品编号
- C7400243
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V,5.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF@300V |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 静电放电（ESD）防护达2kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 电机驱动-电源管理功能-负载开关