TK155A65Z,S4X
1个N沟道 耐压:650V 电流:18A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK155A65Z,S4X
- 商品编号
- C7400249
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.635nF |
商品概述
DMG2305UX - 7 - MS是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 DMG2305UX - 7 - MS符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.13Ω(典型值)
- 低电容,具备高速开关特性。
- 增强型:Vth = 3 至 4 V(VDS = 10 V,ID = 0.73 mA)
应用领域
- 开关电源